Hankyung 称第 9 代 V-NAND 闪存的堆叠层数将是 290 层，不过，三星在学术会议上展示了 280 层堆叠的 QLC 闪存，该闪存 IO 接口速率达到 3.2GB/s。
三星在第 9 代 V-NAND 上将沿用双闪存堆栈的结构，以实现更简单的工序和更低的制造成本。而在预计明年推出的第 10 代 V-NAND 闪存上，三星将换用三堆栈结构。
新的结构将进一步提升 3D 闪存的最大可能堆叠层数，不过也会在堆栈对齐方面引入更多的复杂性，SK 海力士明年量产的 321 层 NAND 闪存就将使用这一结构 。
半导体行业观察机构 TechInsights 表示三星的第 10 代 V-NAND 闪存有望达到 430 层，进一步提升堆叠方面的优势。
