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涨价恐持续至 2028Q2:瑞银预估 2026Q3 全球内存合约价环比上涨 32% ...

发布者: IT007编辑02| 2026-7-4 11:50| 查看: 288| 评论: 0|原作者: 故渊|来自: IT之家

摘要: 7 月 4 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(7 月 3 日)发布博文,报道称瑞银(UBS)预估 DRAM 内存供应紧张导致的涨价将持续到 2028 年第 2 季度,今年依然有较大涨价空间。瑞银预估 2026 年第 3 季度全球内存合约价 ...
 

7 月 4 日消息,科技媒体 Wccftech 昨日(7 月 3 日)发布博文,报道称瑞银(UBS)预估 DRAM 内存供应紧张导致的涨价将持续到 2028 年第 2 季度,今年依然有较大涨价空间。


瑞银预估 2026 年第 3 季度全球内存合约价环比上涨 32%,较此前预测(17%)上调 15 个百分点;在第 4 季度,该机构预估内存合约价环比再上涨 18%,较此前预测(12%)上调 6 个百分点。


供需数据方面,瑞银预估 2027 年内存需求将增长 36.2%,而供应方面预估增长 19.3%。


在 NAND 闪存方面,瑞银预估 2026 年第 3 季度环比上涨 30%,较此前预测(17%)上调 13 个百分点;在第 4 季度环比上涨 12%.附上相关图片如下:


A stacked bar chart titled 'Demand for High-capacity' illustrates the growth projection of NAND layers from 2022 to 2031, highlighting '420L' and '>1000L' expected around 2030, from the 2026 IEEE VLSI Symposium on Technology and Circuits.

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