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长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产:每张晶圆产出提升 50% 以上,24GB LPDDR5X 全面进入国产主流旗舰手机

发布者: IT007编辑01| 2026-9-20 17:02| 查看: 102| 评论: 0|原作者: 汪淼|来自: IT之家

摘要: 长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米;同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了 50% 以上。

9 月 20 日闪讯速报,据澎湃新闻今日报道,在 2026 世界制造业大会上,长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产


长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产:每张晶圆产出提升 50% 以上,24GB LPDDR5X 全面进入国产主流旗舰手机


据介绍,长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米,存储器电容深宽比 45:1,核心动能区高度降至 6762 纳米;同时,第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升,同等条件下,每张晶圆的产出,与上一代平台相比提升了 50% 以上


基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已经进入正式量产,全面进入国产主流旗舰手机。


据此前报道,长鑫科技于 2025 年 10 月宣布量产 LPDDR5X 产品,芯片形态提供了覆盖 12GB、16GB、24GB 等多个容量点的解决方案,模组形态的 LPCAMM 产品容量为 16GB 和 32GB。


长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产:每张晶圆产出提升 50% 以上,24GB LPDDR5X 全面进入国产主流旗舰手机

AI 解读

国产内存的突破点在哪

  • 每张晶圆产出提升50%以上,意味着单位成本有望下降,这是量产层面最实际的指标。
  • GB LPDDR5X进入国产主流旗舰手机,说明高容量内存的国产供应已经跑通。
  • 95纳米半间距和45:1深宽比是工艺难度的体现,但原文未给出功耗和良率数据。
  • 目前没有公布搭载机型、具体价格和上市时间,普通用户短期内还看不到明确选择。


这次量产最值得看的不是容量数字,而是每张晶圆产出提升50%以上。对存储行业来说,产出效率直接决定单位成本,这比单纯堆参数更能说明工艺平台成熟了。24GB LPDDR5X进入国产旗舰手机,意味着高容量内存的国产供应已经跑通,手机厂商在采购时多了一个选项。


但要注意,原文没有给出功耗、良率、实际搭载机型和价格。产出提升50%是同等条件下的对比,不等于最终产品一定更便宜。对普通用户来说,短期内能感知到的可能只是国产旗舰机在内存配置上不再受制于海外供应,具体机型什么时候上市、卖多少钱,目前还没有公布。


工艺突破值得关注,但普通用户先别急着等,具体机型和价格都还没公布。

以上内容由 AI 依据原文补充生成,不代表本站观点,仅供参考。

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