消息称三星电子加速平泽 P5 晶圆厂 PH1 DRAM 产线建设，PH2 或生产 NAND

发布者: IT007编辑01| 2026-9-28 18:10| 查看: 108| 评论: 0|原作者: 溯波（实习）|来自: IT之家

摘要: 三星电子现在要求在明年 5~6 月就进行设备导入，比预期早上 2 个月；甚至希望在 2027Q1 就取得设备并暂存他处。

9 月 28 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正加速推进平泽 P5 晶圆厂 PH1 阶段 DRAM 内存生产线的建设。

报道指出，三星电子已在本季度启动 P5 PH1 的洁净室建设，早于此前预期。按此进度推算，半导体制造设备进场时间应该落在 2027 年 7~8 月。

而消息人士最近表示，三星电子现要求在明年 5~6 月就进行设备导入，甚至希望在 2027Q1 就获取设备并暂存他处。三星电子对提前投资 P5 项目的意愿非常强烈。

另一方面，三星电子正与合作伙伴商讨将 P5 PH2 建成尖端 NAND 闪存生产线的想法。由于设备交期大幅延长，三星电子正要求合作伙伴提前备好相关零部件。

AI 解读

三星为何急着提前建厂

这条消息的重点不是某款内存或闪存，而是三星对建厂节奏的调整。洁净室提前开工、设备导入时间前移，说明它想把产能释放的时间点往前挪。设备交期延长是背景之一，所以才会出现先拿设备暂存他处的做法。

对普通人来说，这类上游动作不会立刻反映到手机或电脑的价格上。它影响的是未来几年内存和闪存的供应量，进而影响整机成本。但原文没有给出产能和量产时间，现在判断价格走势还太早。

PH2 是否真的做 NAND，目前也只是商讨阶段，没有最终确认。

建厂提速是供应信号，但价格和上市时间原文都没提，先别急着下结论。

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