9 月 25 日消息，在高通骁龙峰会 2025 现场获得了刚刚发布的骁龙 X2 Elite (Extreme) 和 8 Elite Gen 5 处理器的实物图片：

可以看到上图右侧 X2 Elite Extreme 的封装模块包含 4 个主要芯片，即位于偏下位置的处理器本体芯片和 3 颗集成封装的 DRAM 内存芯片，与英特尔 "Lunar Lake" 酷睿 Ultra 200V 的情况类似。

根据高通官方公布的骁龙 X2 Elite Extreme 处理器 X2E-96-100 规格信息，该芯片拥有在近年消费级 SoC 中未曾使用的 192-bit“三通道”内存位宽，每 64-bit 对应上图中的一个 DRAM 内存芯片。结合 DRAM 内存丝印和总容量 48GB 的参考设计来看，实物图中的 DRAM 芯片为三星电子的 128Gb (16GB) LPDDR5x。

骁龙 X2 Elite Extreme 与骁龙 X2 Elite 芯片均支持 9523 MT/s 的内存速率，基于骁龙 X2 Elite 的 X2E-88-100 / X2E-80-100 内存位宽为 128-bit。